Microscopía
de campo cercano: Aplicación al estudio del confinamiento y propagación de
carga superficial en estructuras semiconductoras

Espinoza Cuellar, Luis David

dc.contributor	RICARDO CASTRO GARCIA;48593	es_MX
dc.contributor	LUIS FELIPE LASTRAS MARTINEZ;13673	es_MX
dc.contributor.advisor	Castro García, Ricardo
dc.contributor.advisor	Lastras Martínez, Luis Felipe.
dc.contributor.author	Espinoza Cuellar, Luis David
dc.coverage.spatial	México. San Luis Potosí. San Luis Potosí.	es_MX
dc.creator	Luis David Espinosa Cuellar;0000-0002-9335-2552	es_MX
dc.date.accessioned	2022-10-17T18:38:52Z
dc.date.available	2022-10-17T18:38:52Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.uri	https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/7991
dc.description.abstract	En este trabajo se presenta el estudio del confinamiento y propagación de carga superficial estudiado sobre estructuras basadas en InP (001) altamente dopado. De manera especifica, lo que se estudió fue la respuesta asociada a InP, conformada por muestras compuestas por la siguiente estructura: a un sustrato de InP dopado con azufre, se le creció una rejilla de difracción de InP altamente dopado con atomos de silicio. La rejilla de difracción tiene el propósito de que por la ley de Bragg, la luz de iluminación tenga el momento necesario para poder excitar los plasmones superficiales en el infrarrojo. En lo que respecta a este trabajo, se extendio el estudio de la respuesta de dicha carga superficial con la tecnica de microscopia en campo cercano, utilizando laseres con longitud de onda de 407 nm, 532 nm y 633 nm. De los resultados experimentales obtenidos en la region visible mediante NSOM, se especula que es posible obtener una respuesta igualmente plasmónica asociada a las cargas libres superficiales en la estructura.	es_MX
dc.description.statementofresponsibility	Investigadores	es_MX
dc.description.statementofresponsibility	Estudiantes	es_MX
dc.language	Español	es_MX
dc.publisher	Facultad de Ciencias - UASLP
dc.relation.ispartof	REPOSITORIO NACIONAL CONACYT	es_MX
dc.rights	Acceso Abierto	es_MX
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0	es_MX
dc.subject	estructuras basadas en InP	es_MX
dc.subject	microscopía de campo cercano	es_MX
dc.subject.other	CIENCIAS FÍSICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA	es_MX
dc.subject.other	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA	es_MX
dc.title	Microscopía de campo cercano: Aplicación al estudio del confinamiento y propagación de carga superficial en estructuras semiconductoras	es_MX
dc.type	Tesis de Maestría	es_MX
dc.degree.name	Maestría en Ciencias Aplicadas	es_MX
dc.degree.department	Facultad de Ciencias	es_MX