Resumen:
En el presente trabajo de tesis se describe a detalle el principio de medición de un sistema de elipsometría, partiendo de los elementos más básicos como lo son las ecuaciones de Maxwell y ondas electromagnéticas. Para esto, se considera todo el fenómeno físico involucrado en la medición de la función dieléctrica compleja y de esta manera estudiar las propiedades ópticas de estructuras semiconductoras. Con los elementos ópticos básicos que conforman un sistema de elipsometría (polarizador, analizador y compensador), se logró la implementación de un arreglo óptico capaz de realizar espectroscopía elipsométrica en el rango de luz visible-ultravioleta. Se requirieron numerosas pruebas, así como su calibración correspondiente para poder establecer el sistema de manera óptima y reproducible. Los espectros obtenidos en el sistema implementado fueron comparados con los que se obtienen con equipos comerciales de las mismas muestras y bajo las mismas condiciones de medición; esto con la finalidad de validar el presente trabajo y poder asegurar así que las mediciones rutinarias sean de buena calidad y reproducibles para futuros trabajos. Se midieron un número de muestras semiconductoras: cristales de silico, GaAs, GaSb, películas delgadas de MoS2 crecidas sobre substratos de zafiro, así como rejillas de difracción basadas en InP.
Excepto si se señala otra cosa, la licencia del ítem se describe como Acceso Abierto