Estudio de la síntesis y caracterización de nanoestructuras obtenidas en el sistema InGaAs/GaAs mediante LPE

Abstract

Hoy en día la mayoría de los dispositivos que utilizamos en la vida diaria se basan en estructuras semiconductoras. Podemos pensar en un simple transistor empleado para producir radios FM o bien un láser de color azul de estado sólido que nos permite leer datos desde un disco y del cual obtenemos imágenes en alta definición. No debe extrañar entonces que la mayoría de las investigaciones realizadas por científicos modernos, se enfoquen en la mejora continua de dichas estructuras. Desde el descubrimiento del efecto de confinamiento electrónico observado en estructuras de baja dimensión este objetivo de mejora suele contemplar el producir nanoestructuras de mejor calidad y mayor eficiencia. Por un lado puede buscarse la innovación a través de nuevos materiales y aleaciones para determinadas aplicaciones o bien, que se manipulen las características propias de las estructuras para obtener cada vez dispositivos de mejor calidad.