Automatización de experimentos relacionados con la epitaxia en fase líquida

Abstract

El desarrollo de dispositivos semiconductores como el diodo, transistor, láser, fotodiodos, fototransistores, entre otros, contribuyeron al avance de la electrónica aplicada en áreas como las comunicaciones, medicina, procesamiento de imágenes y señales, control y automatización de procesos y telecomunicación, solo por mencionar algunas de las áreas que se vieron beneficiadas con el desarrollo de nuevas tecnologías de materiales semiconductores. Existen diversas técnicas para fabricar dispositivos semiconductores con las cuales se logran obtener unidades con buenas características eléctricas, ópticas, impedancia y térmicas entre otras. El auge de la técnica de crecimiento de cristales por epitaxia en fase líquida se da en los años 60’s cuando se comienza a experimentar con sistemas opto-electrónicos como el fotodiodo, fototransistor y el láser. Algunas de las técnicas que permiten obtener materiales opto-electrónicos son: Epitaxia en fase líquida (Liquid Phase Epitaxy, LPE), Epitaxia por haces moleculares (Molecular Beam Epitaxy, MBE), Epitaxia por fase gaseosa (Metalorganic Chemical Vapour Deposition, MOCVD), [1, 2, 6]. La obtención de los materiales con características muy semejantes a través de estas técnicas requiere precisión en el proceso y monitoreo de las condiciones bajo las cuales se realiza, esto garantizará la reproducibilidad de los experimentos y tener un producto de buena calidad. 2 Por lo tanto se hace necesario la automatización de todas o algunas de las etapas del proceso. También se deben de supervisar valores de señales físicas como temperatura, humedad y presión. Para el monitoreo y automatización de los procesos antes mencionados se diseñaron sistemas electrónicos capaces de controlar, monitorear y automatizar cada una de las etapas inmiscuidas en el proceso de fabricación de los materiales opto-electrónicos.