Prado Navarrete, Enrique
(Facultad de Ciencias - UASLP, 2021)
Se ha propuesto una estructura óxido-semiconductor utilizando dióxido de hafnio (HfO2) sobre capas ultradelgadas de nitruro de indio (InN). Con el objetivo de lograr aprovechar las remarcables propiedades del InN en capas ...